专利名称：包括金属栅电极的半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：J·布拉斯克,J·卡瓦利罗斯,M·多齐,S·达塔,U·沙阿,B·
多勒,R·乔
申请号：CN200580029796.2申请日：20050902公开号：CN101010798A公开日：20070801
摘要：描述了一种半导体器件的制造方法。该方法包括在衬底上形成介电层和包括第一层和第二层的牺牲结构，使得第二层形成于第一层上并比第一层宽。在去除牺牲层以生成沟槽后，在沟槽中形成金属栅电极。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：陈斌
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