（12）发明专利申请
（21）申请号 CN97119611.7 （22）申请日 1997.09.23
（71）申请人 联华电子股份有限公司
地址 台湾省新竹科学工业园区
（10）申请公布号 CN1212458A （43）申请公布日 1999.03.31
（72）发明人 游萃蓉;卢火铁;孙世伟
（74）专利代理机构 柳沈知识产权律师事务所
代理人 杨梧
（51）Int.CI
H01L21/8242; H01L21/8239; H01L27/108;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
电荷存储结构的制造方法
（57）摘要
DRAM中高电容值存储电荷电容器有下电
极,与转移FET的源/漏极区接触。下电极包括第一多晶硅层覆盖在部分转移FET上,在第一多晶硅层上形成氧化物层,并在氧化物层上形成半球颗粒多晶硅层,其颗粒约为100nm,半球间距离约为100nm。蚀刻氧化物层,形成柱状氧化物层,以半球
颗粒多晶硅作为蚀刻掩模,第一多晶硅层为蚀刻终止层。在柱状氧化物层及半球颗粒多晶硅层表面淀积第二多晶硅层,在第二多晶硅层上依序形成电容介电层及电容上电极。
法律状态
法律状态公告日
1999-03-31 1999-10-20 2002-09-04
法律状态信息
公开
实质审查请求的生效 发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开
实质审查请求的生效 发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
电荷存储结构的制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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