浮栅的制作方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410310911.4 （22）申请日 2014.07.01

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN105336591A

（43）申请公布日 2016.02.17

（72）发明人 姜立维;李雪

（74）专利代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人 吴贵明

（51）Int.CI

H01L21/28;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

浮栅的制作方法

（57）摘要

本发明提供了一种浮栅的制作方法。该制

作方法包括：提供半导体基底，半导体基底具有存储单元区和外围电路区，存储单元区具有第一STI和第一有源区，外围电路区具有最小宽度≥A的第二STI和第二有源区以及最小宽度＜A的第三STI和第三有源区；在半导体基底上沉积多晶硅，形成第一多晶硅层；在位于第二有源区的第一多晶硅层上形成多晶硅保护层；在裸露的第一

多晶硅层表面上、多晶硅保护层表面上沉积多晶硅，形成第二多晶硅层；对第二多晶硅层与第一多晶硅层进行CMP至第一STI与第三STI裸露；对CMP后的第一多晶硅层与多晶硅保护层进行回刻；以及去除多晶硅保护层。该方法避免了第二有源区处凹陷的产生，去除残留多晶硅的效果。

法律状态

法律状态公告日

2016-02-17 2016-02-17 2016-03-16 2016-03-16 2018-10-23

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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