PCB板

.摆件前要确定机构形状，与机构吻和。

.机构件一定要按机构确定的位置放置，包括耳机，speaker,

.buzzer, mic, 电池接口，LCD接口，键盘接口，天线，指示灯，sidekey, SIM holder等。 .确认机构的限高区，包括能摆部分元件和完全不能摆件的区域 注意一些元件带有的机械孔和机构安装孔处不能摆件。

三、确定主要芯片位置，防止元件间相互干扰

.区分bb元件和rf元件，基本划分出bb和rf各自placement区域. .先定主要芯片的位置,再根据主要芯片放置放小元件,最后细调。

.CPU,MEMORY的信号属于高速数据信号，高速数位数据的传输会对模拟信号产生干扰。应尽量避开它们与TX-VCO,RX-VCO和13M时钟在双面摆件时的重合。

.13M是整个手机的基准时钟.应避免MEMORY,CPU对其的干扰。

. PA的下面需要有大片的地,应避开与CPU重合,因为CPU有很多通孔,会破坏PA的地. .PMU是整个手机的电源管理和供应中心，要保证电源的纯净， .PA容易干扰电源,应避开两者的重合。

.天线发射的为高频,大功率信号,且为发散状,对周围元件信号有影响。

四、芯片周围电路的放置

. 周边电路不要与芯片距离太远，尤其是一些滤波电路。 .摆件尽量整齐，使走线短，方便。

. ESD保护电路一定要接近被保护元件，不能随意放置太远。

. 元件PAD间安全距离一般为12mil以上，pad与屏蔽盖间距离为15mil以上。 注意识别有极性元件的极性。 五、其它注意事项

. 确定机构图是否为最新版本。

. 确定电路原理图正确无误，所用元件封装正确，完整。

Layout注意事项

. 相邻两层之间不能安排为同样方向的走线，必须横纵交叉表层不宜走很长的纵线，以免和天线发生干扰 . 一条线在同一层走需要拐弯时不能走直角，应该走45度角

. 射频线和音频线，数字信号线不能混合在一起，应分布在不同的层或是同一层的不同部位 .电源线要尽可能短而直

.音频线要尽量做到上下左右都包地保护，以免被高速数字信号和射频线干扰 .音频线要走平行线

EMC，ESD资料

就结构设计考虑EMC谈几点自己的看法

EMC是近代发展起来的新的学科领域。随着科学技术的发展，电磁兼容在现代科技中的作用与地位日益提高，它已成为有关工程技术人员必备的专业知识。EMC问题贯穿于一个产品的全部过程。从系统设计，电路设计，结构设计，工艺设计，产品生产。无不与之相关。由于我在原单位从事的是产品工艺，这里愿意结构设计员就EMC问题一起讨论。先谈几点自己的看法。

1． 薄膜屏蔽。现代电子中广泛采用了工程塑料作为机箱，它具有加工工艺性能好，造型美观、成本

低、重量轻等优点。为了具备电磁屏蔽的功能，通常采用喷导电漆、电弧喷涂、电镀、化学镀、贴导电薄膜等工艺。 假定导电薄膜的厚度为l，电磁波在导电薄膜中的波长为λ，若l<λ/4则为薄膜屏蔽。下面介绍几种常用方法在1MHz和1GHz频段时的屏蔽效能：

方法 厚度（μm） 表阻 屏蔽效能（dB） 锌电弧喷涂 12-25 0．03 50-60 锌火喷涂 25 4 40 镍基镀层 50 0．5-2．0 30-75 银基镀层 25 0.05-0.1 65-75 铜基镀层 25 0.5 60-70 石墨基镀层 25 7.5-20 20-40 真空镀 1.25 5-10 30-50 电镀 25 0.1 50-70

化学镀 25 0.05 60-70

2．导电胶和导磁胶。

导电、导磁胶是电子工业专用胶。都是在普通的粘和中填充导电、导磁配料而成的。另外选用时应注意不同材料接触所引起的电化学腐蚀和导电胶对于某些环境因素（如潮热）比较敏感，导致接触强度下降、电阻率增加。以下列出几种常用的导电胶的参数： 牌号 固化条件 剪切强度 特点 温度 压力 时间-60度20度100度150度 DAD-2 20-50 5 96-5≥8 胶接范围广、韧性好 DAD-3 160 5-1 2-3>15>10 胶接温度高、耐热性好 DAD-8 20 5 2414．917．48 使用方便室温固化，强度较高 DAD-24 130 5 36．9≥574．3 电阻率低，耐热较好 DAD-10 100 5 17．2≥57 电阻率低 DAD-54 120 5 39．7≥64．5 电阻率低 HH-701 20 5 24≥20 电阻率低，胶接强度高 HH-711 80-150 5 1-3≥27 电阻率低，胶接强度高 DLD-3 120 5 3≥18 价廉，胶接强度高 DLD-5 120 5 3>15 价廉，胶接强度高 铜粉导电胶 20 5 24≥8 价廉，电阻率低

3．孔缝泄露。实际的屏蔽体由于制造、装配、维修、散热等要求，其上一般都开有形状各异、尺寸不同的孔缝，这些对于屏蔽体的屏效起着重要的影响作用，因此必须采取措施来抑制孔缝的电磁泄露。 3．1装配面处接缝泄露的抑制。

A：增加缝隙深度。根据电磁场理论，具有一定深度的缝隙均可看作波导，而波导在一定条件下可对内部传播的电磁波进行衰减，深度越深，衰减越多。因此增加缝隙间隙的深度可有效的抑制装配面处的泄露。

B：增加装配面处的刚度。刚度增加，缝隙必然缩小，泄露量也相应减小。

C：装配面处加入导电衬垫。一般的衬垫分为编织金属丝，硬度低易于塑性变形的软金属（铜、铅等），包裹金属层的橡胶条，导电胶条和梳形簧片等。 3．2通风孔、冷却孔泄露的抑制

A：覆盖金属丝网。将金属丝网覆盖在大面积的通风孔上，能显著的提高屏蔽效能。金属丝网结构简单，成本低，通风量较大，适用于屏蔽要求不太高的场合。金属丝网的屏蔽性能与网丝直径，网孔的疏密程度、网丝交点处情况、网丝材料的导电率有关。一般情况下，在频率超过70MHz以后，屏蔽效能将明显下降。所以这种方法不适用数百兆以上的情况。

B：穿孔金属板。一般情况下孔洞尺寸越大，屏效越差。为了提高屏效，可在满足通风量要求的条件下，以多个小孔代替大孔，这就需要用穿孔金属板。由于不存在金属丝网的网栅交点接触不稳定的缺陷，其屏效比较稳定。

C：截止波导通风孔。金属丝网和穿孔金属板在频率大于100MHz时，其屏效显著降低。尤其是在孔尺寸远大于波长时，其泄露更厉害。此时应采用截止波导通风孔。截止波导通风孔是指将孔的深度增加到一定值（由频率和孔径来确定），形成一个高通滤波器来达到提高屏效的目的。其优点是工作频段宽、通风好、工作稳定可靠。缺点是工艺复杂、体积大，成本高。（对于圆孔一般要求：深度≥3×直径） 3．3观察窗口的抑制。

A：使用波导衰减器。

B：使用金属丝网和带有金属丝网的导电玻璃。（高频时） C：对重要的器件进行屏蔽，对进入器件的所有导线滤波。

3．4器件调谐孔泄露的抑制。对于这种情况只能采用截止波导结构，此时调谐轴必须用绝缘材料。