专利名称：平面异质器件专利类型：发明专利发明人：K·俊,P·莫罗
申请号：CN201380081026.7申请日：20131218公开号：CN105745737A公开日：20160706
摘要：在实施例中，第二半导体层被转移(例如，使用层转移技术)到第一半导体层的顶部上。第二层被图案化成期望的阱。在这些阱之间，暴露第一层。所暴露的第一层外延生长到所转移的第二层的水平高度，以完成包括S1和S2两者的平面异质衬底。可以利用异质材料，以使得例如由III?V材料或IV材料的其中之一构成的P沟道器件与由III?V材料或IV材料的其中之一构成的N沟道器件共面。实施例不需要晶格参数符合，这是因为第二层被转移到第一层上。此外，不存在(或存在很少)缓冲体和/或异质外延。本文中还描述了其它实施例。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚
国籍：US
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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