专利名称：一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：吴胜利,王若铮,李欣予,张劲涛申请号：CN201610512028.2申请日：20160701公开号：CN106409918A公开日：20170215
摘要：本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法，属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极，在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜，然后在绝缘层上再溅射沟道层薄膜和源漏电极，沟道宽度为20～100μm。该复合高k绝缘层薄膜晶体管为底栅极结构，该复合绝缘层可以在保证绝缘耐压性能的前提下，降低绝缘层厚度，提高其介电常数，进而降低器件的开启电压和饱和电压，应用于TFT‑LCD中可以缩短响应时间，降低功耗，提高工作效率。
申请人：西安交通大学
地址：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：齐书田
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