专利名称：一种快速制备NiSn单晶相的方法专利类型：发明专利
发明人：陈捷狮,杨明远,曾志,杨瑾,张泽强,尹志康,孟玄申请号：CN202010337787.6申请日：20200426公开号：CN111379029A公开日：20200707
摘要：本发明涉及一种快速制备NiSn单晶相的方法，使用单晶Ni片作为焊盘，与Sn基钎料在220～260℃回流，即可制备得到NiSn单晶相；所述NiSn单晶相厚度≥3μm，面积不小于4μm；所述NiSn单晶相的形状为大片板状，而不是传统的柱状；所述NiSn单晶相是沿着<001>方向生长的化合物，而不是生长方向无序；所述NiSn单晶相是在界面生成的是扁平状，而不是直立形状。本发明制备的大片的NiSn单晶相能作为电子微连接中的扩散阻挡层，提高电子封装中互连结构的电迁移可靠性。本发明的优点是快速制备，质量可靠，易控制，制备过程受外界环境条件影响小，且制备的NiSn单晶相厚度可控。
申请人：上海工程技术大学
地址：201620 上海市松江区龙腾路333号
国籍：CN
代理机构：上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：杜亚
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