M5358和OB2358

概述

M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯片，,内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机功耗，低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构，推荐应用于功率27瓦以内的各种变换器。 M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能，包括逐周期电流限制（OCP）,过载保护(OLP),VDD电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电路具有抖频功能以及软开关技术，保证了优秀的EMI性能，消除了低于20KHz的音频噪声。M5358采用DIP8封装。  特点 应用

 开关软启动可降低MOSFET的VDS压力 ■ 离线式AV-DC反激变器

 改善EMI的频率抖动技术 ■ 手机充电器，上网本充电器  极低启动电流和工作电流 ■ 笔记本适配器，机顶盒电源  改善效率和待机功率最小化的扩展burst模式 ■ 各种开放式开关电源  消除音频噪声  50KHZ开关频率

 完善的各种保护以及自恢复功能  逐周期电流限流  芯片供电欠压保护  自动重启功能  采用DIP-8 封装 典型应用电路图：

输出功率表

说明:连续工作的最大功率是在开放的 50 度环境中，且转换器有有足够的散热条件下测得。

定购信息：

最大极限参数 ：

注：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能 正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能 指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精 度，但其典型值合理反映了器件性能

电气参数 （无特别说明情况下，V

符号 工作电压 I_start up VDD 启动电流 参数描述 CC

=16V, TA=25℃）

条件 最小值 典型值 最大值 单位 VDD=14.5V V_INV = 3V 8.7 14.6 27 5 1.6 9.7 15.8 28.5 20 10.7 17.0 30 uA mA V V V I_VDD_Operation VDD 工作电流 VDD_UVLO(ON) VDD 欠压保护（开启） VDD_UVLO(OFF) VDD 欠压保护（关闭） OVP（ON） VDD 过压保护（开启） CS=0V,INV=3V, 增 大 VDD 直到 GATE 时钟关闭 VDD_Clamp INV 反馈 VINV_OPEN IINV_Short VTH_OD VTH_PL TD_PL ZINV_IN 电流采样 Soft_start_time T_blanking Z SEN_IN TD_OC VTH_OC 时钟 F_osc Δ f_Temp

VDD 钳位电压 IDD=10mA 30 V INV 开环电压 INV 短路电流 过零点门槛电压 功率限制门槛电压 功率限制延迟时间 输入阻抗 INV 接到地 5.4 5.7 1.45 0.8 3.7 50 4 6 V mA V V m Sec K ohm 软启动时间 电流采样前沿消隐时间 输入阻抗 过电流检测迟滞时间 内部电流限制门槛电压 信号关闭 4 270 40 120 0.77 0.82 m S n s K ohm n s V 从过流开始到驱动 0.72 正常振荡频率 频率温飘 45 50 5 55 KHZ %

符号 Δ f_VDD D_MAX 参数描述 频率电压调整率 最大占空比 条件 V_INV=3.3V CS=0V 最小值 典型值 ， 70 5 80 最大值 90 单位 % % F_Burst 功率 MOS BVdss R ds_on 频率抖动 Δ f_osc

Burst 模式基准频率 功率管击穿电压 功率管导通阻抗 静态 Id=1.0A 22 600 4.4 5.5 KHZ V Ω -4 4 % 注4：典型参数值为25˚C下测得的参数标准。

注 5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。

芯片框图

特性曲线（常温 TA= 25℃）

应用信息

M5358 是一款内部高度集成多个处理单元、低功耗、应用于离线反击式拓扑的开关控制器。适合于 27 瓦 以内的各种电源应用，其独有的扩展 burst 模式，能有效的降低功耗，轻松的面对各种轻便、简洁、低 功耗的设计要求

启动电流和启动控制

由于 M5358 极低的启动电流，VDD 能够迅速地达到芯片启动电压，使电路能够快速的启动。一个大阻值 的启动电阻就能够保证电路稳定的启动，并将功耗降到最低。对于常规输入电压的一般 AC-DC 变换器， 阻值为 2M 的启动电阻连同一个 VDD 旁路电容就能够满足装置快速的启动要求，并将启动功耗控制在极低 的水平。

工作电流

M5358 的工作电流低至 2mA,加上特有的扩展 burst 模式，使整个转化器一直保持在高效率工作状态。 软启动

为减少在上电过程中变压器应力，防止变压器饱和，电路内部设置了 4mS 的软启动时间，上电时，电流 检测端的反馈电压值（决定输出电流的峰值）缓慢增加，直到达到限流阈值电压(0.77V)时，软启动结 束。每次启动时都执行软启动。

频率抖动以及 EMI 优化

为分散谐波干扰能量，降低 EMI 发射的峰值，芯片内部集成频率抖动功能，振荡频率在一个很小的范围 内（2KHz 左右）变动，使得开关电源的振荡频率出现周期性变化，从而简化 EMI 设计，更容易满足要 求。

扩展 burst 模式（绿色工作模式）

在轻载或空载条件下，电路进入绿色工作模式，工作频率降低，频率的变化有取自电压反馈环的反馈电 压 VINV 控制，当反馈电压低于内部门限电压时，振荡器频率线性降低到最小绿色工作频率（22KHZ）左 右，在此振荡频率工作时，MOSFET 的开关损耗和磁芯、电感、脉冲吸收回路的损耗均减少，从而减少了 总的损耗。在正常工作或重载时，振荡器的工作频率提高（50KHz）,工作频率不受绿色工作模式的影 响。

工作频率

M5358 的内部设定的工作频率为 50KHZ,无需外部元件重新设置。 电流检测和前沿消隐

M5358 内部设置有逐周期电流限制电路，开关电流由 CS 脚上的采样电阻检测。在功率 MOS 管打开初期， 内部的前沿消隐电路可以消除采样信号中的电压尖峰，所以在 CS 输入上不再需要外接 RC 滤波器，PWM

内部同步斜坡补偿

电流型的控制器一般是检测变换器/电感的峰值电流，在变换器/电感电流连续时，由于峰值电压正比于 平均电流而不是峰值电流，所以当输入电压变化时，容易产生振荡，加斜坡补偿可以有效地防止振荡的 产生。 M5358 在每个三角波的上升沿斜坡补偿，有效地改善了电流控制环的特性，同时减少输出纹波。

栅极驱动

内部的功率 MOSFET 采用图腾柱结构的栅极驱动器进行输出功率控制，栅极驱动能力太弱，会引起 MOSFET 的开关损耗过大，栅极驱动能力太强又会导致 EMI 超标。带有驱动强度和死区时间控制的栅极驱 动结构，能在开关损耗和 EMI 方面取得折中，另外，通过 Vcc 与 Vcc-G 之间的电阻，也可以调节驱动能 力强度，大大提高了 EMI 设计的灵活性。

保护

芯片自带各种保护功能， 提高了开关电源系统的可靠性。 包括逐周期电流限制 (Cycle-by-cycle current limit)、过载保护(Over load protection)、过电流保护、输入电压的过压及欠压锁定保护、 最大功率限制以及功率开关管栅极电压钳位保护等。

逐周期电流限制

在 每 一 个 周 期 ， 峰 值 电 流 值 由 比 较 器 的 比 较 点 决 定 ，该 电 流 值 不 会 超 过 峰 值 电 流 限 流 值 ，保 证 MOS 上 的 电 流 不 会 超 过 额 定 电 流 值 。当 电 流 达 到 峰 值 电 流 以 后 ，输出 功 率 就 不 能 再 变 大 ， 从 而 限 制 了 最 大 的 输 出 功 率 。

过载保护

当电路发生过载，会导致INV电压升高，当INV电压升高到反馈关断电压时，通过延迟50ms时间后，输 出关断。该状态一直保持，直到电路发生上电重启。

输入电压的过压及欠压锁定保护

当VCC上的电压超过过压保护点（30V）电压时，表示负载上发生了过压，此时关断输出。该状态一直 保持，直到电路发生上电重启。

欠压锁定功能可以保证M5358 各部分正常工作，开通和关断的门限为14.6V/8.7V，启动时Vcc维持电容Cin 电压必须高于14.6V,正常工作时，Vcc的电压由辅助绕组提供。

封装信息