压力传感器及β型PVDF薄膜的高压极化设备[实用新型专利]

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专利名称：压力传感器及β型PVDF薄膜的高压极化设备专利类型：实用新型专利发明人：陈帅,倪文海,徐文华申请号：CN2016211192.2申请日：20161031公开号：CN206210807U公开日：20170531

摘要：本实用新型涉及一种压力传感器及β型PVDF薄膜的高压极化设备。所述压力传感器中，在SiC衬底层上生长的外延层，包含GaN沟道层及该GAN沟道层上的AlGaN帽层，所述AlGaN帽层与GAN沟道层之间形成2DEG沟道；在所述AlGaN帽层上分别形成有源极、漏极；在所述AlGaN帽层的栅极位置上设置有经过高压极化的β型PVDF薄膜。本实用新型充分结合PVDF和HEMT的特点，制成的新型异质结压力传感器，可以有效提高感应灵敏度。本实用新型所述β型PVDF薄膜的高压极化设备，实现对PVDF薄膜样品的高压极化，提高了β型PVDF份额。

申请人：杭州迦美信芯通讯技术有限公司,上海迦美信芯通讯技术有限公司

地址：310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道6号大街452号2幢D2012-D2017号房

国籍：CN

代理机构：上海信好专利代理事务所(普通合伙)

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