搜索
您的当前位置:首页低蚀刻性光刻胶清洗剂[发明专利]

低蚀刻性光刻胶清洗剂[发明专利]

来源:智榕旅游
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:低蚀刻性光刻胶清洗剂专利类型:发明专利

发明人:史永涛,彭洪修,刘兵,曾浩申请号:CN200710039481.7申请日:20070413公开号:CN101286016A公开日:20081015

摘要:本发明公开了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂,其含有:苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和二甲基亚砜。本发明的清洗剂可用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物,且同时对于二氧化硅、铜等金属和低k材料等具有较低的蚀刻速率,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

申请人:安集微电子(上海)有限公司

地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室

国籍:CN

代理机构:上海虹桥正瀚律师事务所

代理人:李佳铭

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容

Top