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钽酸锂晶体基片的黑化处理方法

来源:智榕旅游
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201510864268.4 (22)申请日 2015.11.30

(71)申请人 上海召业申凯电子材料有限公司

地址 201821 上海市嘉定区菊园新区菊城路33号

(10)申请公布号 CN105463581A

(43)申请公布日 2016.04.06

(72)发明人 赵广军;万育仁;杨胜裕;姚诗凯 (74)专利代理机构 上海新天专利代理有限公司

代理人 张泽纯

(51)Int.CI

C30B33/02; C30B29/30;

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

钽酸锂晶体基片的黑化处理方法

(57)摘要

一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法,采

用氟化物材料与待处理的钽酸锂晶体基片充分接触,在非氧化性还原性气氛中,在450℃~600℃对钽酸锂晶体基片进行还原热处理,热处理时间为5-24小时。本发明获得的黑化钽酸锂晶体基片的体电阻率为10

法律状态

法律状态公告日

2016-04-06 2016-04-06 2016-05-04 2016-05-04 2018-02-13

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态信息

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