(12)发明专利申请
(21)申请号 CN201510864268.4 (22)申请日 2015.11.30
(71)申请人 上海召业申凯电子材料有限公司
地址 201821 上海市嘉定区菊园新区菊城路33号
(10)申请公布号 CN105463581A
(43)申请公布日 2016.04.06
(72)发明人 赵广军;万育仁;杨胜裕;姚诗凯 (74)专利代理机构 上海新天专利代理有限公司
代理人 张泽纯
(51)Int.CI
C30B33/02; C30B29/30;
权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
钽酸锂晶体基片的黑化处理方法
(57)摘要
一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法,采
用氟化物材料与待处理的钽酸锂晶体基片充分接触,在非氧化性还原性气氛中,在450℃~600℃对钽酸锂晶体基片进行还原热处理,热处理时间为5-24小时。本发明获得的黑化钽酸锂晶体基片的体电阻率为10
法律状态
法律状态公告日
2016-04-06 2016-04-06 2016-05-04 2016-05-04 2018-02-13
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
钽酸锂晶体基片的黑化处理方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
钽酸锂晶体基片的黑化处理方法的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容