专利名称：采用双极曝光方式的光刻装置、通光单元及光刻方
法
专利类型：发明专利发明人：毛智彪
申请号：CN201310211966.5申请日：20130531公开号：CN103309174A公开日：20130918
摘要：本发明涉及一种采用双极曝光方式的光刻装置，通光单元及光刻方法。此光刻装置包括：光源、至少具有一组双极透光孔的通光单元，聚光透镜、光掩膜及投影透镜，从上至下依次排布。其中，上述通光单元中的至少一个透光孔内中含多个灰度区，该多个灰度区的灰度差异为过渡式差异或为跳跃式差异，聚光透镜聚集光源光线通过具有衍射功能的光掩膜、投影透镜将衍射光聚焦在位于其下部的硅衬底上。本发明显著提高了不同尺寸光刻图形的综合分辨率和工艺窗口，特别对于光刻图形为单方向排布情况下，平衡了不同尺寸光刻图形的线宽尺寸，同时避免了多次曝光产生的工艺成本增加和产出量降低。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容