（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201810134762.9 （22）申请日 2018.02.09 （71）申请人 哈尔滨工业大学
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
（10）申请公布号 CN108254668B
（43）申请公布日 2020.05.26
书
（72）发明人 李兴冀;陈伟;杨剑群;郭晓强;王晨辉;刘超铭 （74）专利代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人 侯静
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
分析器件电离辐射损伤过程中加速界面态缺陷形成的方法
（57）摘要
一种分析电子元器件电离辐射损伤机制过
程中加速界面态缺陷形成的方法，涉及一种加速界面态缺陷形成的方法。目的是解决SiO
法律状态
法律状态公告日
2018-07-06 2018-07-06 2018-07-06 2018-07-31
公开 公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
公开 公开 公开
法律状态
实质审查的生效
法律状态公告日
2018-07-31 2020-05-26
授权
法律状态信息
实质审查的生效
授权
法律状态
实质审查的生效
权利要求说明书
分析器件电离辐射损伤过程中加速界面态缺陷形成的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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