专利名称：自对准双重图案化专利类型：发明专利
发明人：黄冠维,李佳颖,梁明中申请号：CN201410829375.9申请日：20141226公开号：CN105321874A公开日：20160210
摘要：本发明提供了一种自对准双重图案化。提供了一种半导体器件及其形成方法。实施例包括目标层和位于目标层上方的掩蔽层。在掩蔽层的最上层中形成第一开口。沿着第一开口的侧壁形成间隔件，保留的第一开口具有第一图案。在掩蔽层的最上层中形成第二开口，第二开口具有第二图案。将第一图案和第二图案部分地转移至目标层。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容