专利名称：氧化石墨烯沉积源及利用其的氧化石墨烯薄膜形成
方法
专利类型：发明专利发明人：李晟宇
申请号：CN201811135951.4申请日：20180928公开号：CN109573996A公开日：20190405
摘要：本发明揭示一种可形成电性能优异的氧化石墨烯薄膜的氧化石墨烯沉积源及利用其的氧化石墨烯薄膜形成方法。本发明的氧化石墨烯沉积源还包括除烃类化合物以外的其他物质。本发明的氧化石墨烯薄膜形成方法通过等离子体增强化学气相沉积方法执行，优选为作为循环过程而进行。本发明的氧化石墨烯薄膜形成方法可制造具有优异的电性能的氧化石墨烯薄膜。
申请人：TES股份有限公司
地址：韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面中部大路2374-36
国籍：KR
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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