您好,欢迎来到智榕旅游。
搜索
您的当前位置:首页用于在半导体装置中产生互连的方法[发明专利]

用于在半导体装置中产生互连的方法[发明专利]

来源:智榕旅游
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:用于在半导体装置中产生互连的方法专利类型:发明专利

发明人:伊斯梅尔·T·埃迈什,罗伊·沙维夫,梅于尔·奈克申请号:CN201410099406.X申请日:20140317公开号:CN104051336A公开日:20140917

摘要:一种用于在工件上产生互连的方法,所述方法包括获得具有特征结构的工件基板,在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构,如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构,施加铜覆盖物,热处理所述工件,以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。

申请人:应用材料公司

地址:美国加利福尼亚州

国籍:US

代理机构:北京律诚同业知识产权代理有限公司

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容

Copyright © 2019- zrrp.cn 版权所有 赣ICP备2024042808号-1

违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com

本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务