（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201120104613.1 （22）申请日 2011.04.12 （71）申请人 盛况
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号浙江大学电气工程学院
（10）申请公布号 CN202003996U
（43）申请公布日 2011.10.05
（72）发明人 盛况
（74）专利代理机构 贵阳中新专利商标事务所
代理人 吴无惧
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
新型功率半导体集成器件
（57）摘要
本实用新型涉及一种半导体器件，公
开了一种适用于电力电子集成电路技术领域的功率半导体集成器件。它将两个分立的半导体器件JFET与JBS集成于一块芯片上，形成一块新型半导体器件，在功能上等同于JFET与JBS并联连接，大大减小模块封装体积及成本。而且利用JFET和JBS工艺的高度兼容性，同时实现这两种器件，在一个单芯片和同一套工艺中实现两种器件。P+的注入工艺同时提供了JFET的栅极结构和JBS的P型电场阻断结构部分；JBS的阳极、JFET的
源极和栅极金属电极都可以由一次淀积工艺完成。 法律状态
法律状态公告日
2011-10-05 2016-06-01
授权 专利权的终止
法律状态信息
授权
法律状态
专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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