专利名称：阻变氧化物材料的CoO薄膜和制备方法及其应用专利类型：发明专利
发明人：殷江,高旭,季剑锋,夏奕东,刘治国申请号：CN200910025901.5申请日：20090313公开号：CN101498042A公开日：20090805
摘要：一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为CoO，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoO(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；(2)将CoO靶材固定在靶台上，衬底固定在衬底台上，均置于生长室中；(3)用机械泵和分子泵将生长室抽真空，关闭分子泵后，打开进气阀，向生长室通入氧气至氧气压20Pa；(4)用激光器的激光束通过透镜聚焦在CoO靶材上；(5)用电阻炉加热衬底台，使衬底温度达660℃；(6)按单脉冲能量，确定沉积时间，在衬底上沉积厚度为200nm的CoO薄膜。用该薄膜制备非易失性阻变存储记忆元件，该元件的基本构型为三明治结构，即将一层多晶态氧化物CoO薄膜沉积在下电极Pt电极膜上，用一根Pt探针作为上电极。构成一个记忆单元。
申请人：南京大学
地址：210093 江苏省南京市汉口路22号
国籍：CN
代理机构：南京经纬专利商标代理有限公司
代理人：楼高潮
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