专利名称：制造掺杂稀土光纤的方法专利类型：发明专利
发明人：兰詹·森,密斯·米纳提·查特吉,米兰·坎蒂·纳斯卡尔,米
尔梅·帕尔,穆库尔·钱德拉·保罗,西尔玛·库马尔·巴德拉,卡迈勒·达斯古普塔,迪比亚杜·甘古利,塔伦·班迪奥帕迪亚雅,阿哈龙·热当基安
申请号：CN01823802.5申请日：20011018公开号：CN1558873A公开日：20041229
摘要：本发明公开了一种通过使用涂覆有稀土氧化物的二氧化硅纳米颗粒作为前体材料用于制造掺杂稀土(RE)光纤的方法，更具体来说，本发明的方法包括以下步骤：在环境温度下制备涂覆有稀土氧化物的二氧化硅纳米颗粒的稳定分散体(溶胶)；采用浸涂技术或任何其它常规方法，在二氧化硅玻璃管的内表面上涂覆所述二氧化硅溶胶的薄涂层，所述二氧化硅溶胶含有选自Ge、Al、P等的适当的掺杂剂；进而采用MCVD技术制成光纤的预型体，然后形成预期形状的光纤。本发明的新颖之处在于，在形成纤芯时，省略了CVD工艺中在熔凝二氧化硅玻璃管内高温形成疏松粉末层的步骤，省略了通过溶液掺杂技术或其他方法将稀土离子引入疏松粉末层中的步骤，在溶胶中直接加入稀土氧化物避免了稀土离子微晶和簇的形成，并防止了包括纤芯中稀土浓度变化在内的组成改变，从而大大增加了工艺的再现性和可靠性，此外，在环境温度下将Ge(OET)加入以上的二氧化硅溶胶减少了在高温下实现预期的数值孔径所需的GeCl的量。
申请人：科学和工业研究委员会,巴-以兰大学
地址：印度新德里
国籍：IN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：丁香兰
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