专利名称：一种过温保护电路专利类型：实用新型专利发明人：刘志明
申请号：CN201820716676.4申请日：20180515公开号：CN208226553U公开日：20181211
摘要：本实用新型公开了一种过温保护电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电流源、第二电流源和第一三极管；本实用新型提供了一种过温保护电路，实现了当芯片温度超过设定温度时，控制芯片进入过温保护状态，同时，第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第五NMOS管实现迟滞功能，避免电路在过温温度点附近发生热振荡。
申请人：合肥市汤诚集成电路设计有限公司
地址：230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期H2栋516室
国籍：CN
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