专利名称：一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片专利类型：发明专利
发明人：赵玉龙,马鑫,张琪,胡腾江,王鹏申请号：CN201610606289.0申请日：20160728公开号：CN106290983A公开日：20170104
摘要：一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片，包括硅质敏感结构，硅质敏感结构的背面与硼玻璃键合，硅质敏感结构包括质量块以及与质量块相连的悬臂梁，在硅质敏感结构上采用物理气相沉积或化学气相沉积方法镀有四个非晶碳膜电阻，其中第一非晶态碳膜电阻位于硅质敏感结构的悬臂梁上，并靠近边框一端；第二、第三、第四非晶态碳膜电阻位于硅质敏感结构的边框处，四个非晶碳膜电阻连接成惠斯通半桥检测电路，并通过金属导线和焊盘连接，由于本发明采用的非晶态碳膜电阻具有低摩擦系数、耐腐蚀，耐磨等优良特性，彻底解决传统MEMS硅微传感器测量灵敏度和固有频率之间的制约关系，使传感器兼具高固有频率以及高测量灵敏度等特点。
申请人：西安交通大学
地址：710049 陕西省西安市咸宁路28号
国籍：CN
代理机构：西安智大知识产权代理事务所
代理人：贺建斌
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